文章摘要:对c面（0001）GaN（即c-GaN）材料纳米划痕响应开展了分子动力学模拟研究，以考察压入深度（即划痕深度）和划痕加载方向对其力学响应、表面磨损和内部位错形核等行为的影响，并澄清其摩擦性能参数与磨损特性。通过对c-GaN材料进行不同压入深度下连续改变加载方向的划痕模拟，结果发现：c-GaN材料的摩擦系数及磨损率取决于加载方向和加载方式，采用划痕方向连续改变的加载方式难以获得c-GaN材料各个晶向上准确的摩擦系数及磨损率。

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论文分类号:TQ133.51